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          華為單板熱設(shè)計培訓(xùn)教材

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          單板熱設(shè)計培訓(xùn)教材
          整機(jī)工程部熱技術(shù)研究部 HUAWEI

          提綱
          一、熱設(shè)計基礎(chǔ)知識
          1、熱量傳遞的三種基本方式
          2、熱阻的概念
          二、器件熱特性
          1、認(rèn)識器件熱阻
          2、典型器件封裝散熱特性
          3、單板器件的散熱路徑
          三、散熱器介紹
          四、導(dǎo)熱介質(zhì)介紹
          五、單板強(qiáng)化散熱措施
          1、PWB熱特性
          2、PWB強(qiáng)化散熱措施
          六、單板布局原則

          熱設(shè)計培訓(xùn)資料下載:華為單板熱設(shè)計培訓(xùn)教材.pdf

          一、熱設(shè)計基礎(chǔ)知識

          熱量的傳遞有導(dǎo)熱,對流換熱及輻射換熱三種方式。在終端設(shè)備散 熱過程中,這三種方式都有發(fā)生。三種傳熱方式傳遞的熱量分別由以下 公式計算
          Fourier導(dǎo)熱公式:Q=λA(Th -Tc )/δ
          Newton對流換熱公式:Q=αA(Tw -Tair )
          輻射4次方定律:Q=5.67e-8*εA(Th4-Tc4)
          其中λ、α、ε分別為導(dǎo)熱系數(shù),對流換熱系數(shù)及表面的發(fā)射率,A是 換熱面積。


          1、熱量傳遞的三種基本方式
           導(dǎo)熱: 物體各部分之間不發(fā)生相 對位移時,依靠分子、原子及 自由電子等微觀例子的熱運(yùn)動 而產(chǎn)生的熱量稱為導(dǎo)熱。例 如,固體內(nèi)部的熱量傳遞和不 同固體通過接觸面的熱量傳遞 都是導(dǎo)熱現(xiàn)象。芯片向殼體外 部傳遞熱量主要就是通過導(dǎo)熱。

          導(dǎo)熱過程中傳遞的熱量按照Fourier導(dǎo)熱定律計算:
          Q=λA(Th-Tc)/δ
          其中:A 為與熱量傳遞方向垂直的面積,單位為m2;
          Th 與Tc 分別為高溫與低溫面的溫度,
          δ為兩個面之間的距離,單位為m。
          λ為材料的導(dǎo)熱系數(shù),單位為W/(m*℃),表示了該材料導(dǎo)熱能 力的大小。一般說,固體的導(dǎo)熱系數(shù)大于液體,液體的大于氣體。例如 常溫下純銅的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)400 W/(m*℃),純鋁的導(dǎo)熱系數(shù)為236 W/(m*℃),水的導(dǎo)熱系數(shù)為0.6 W/(m*℃),而空氣僅0.025W/(m*℃) 左右。鋁的導(dǎo)熱系數(shù)高且密度低,所以散熱器基本都采用鋁合金加工, 但在一些大功率芯片散熱中,為了提升散熱性能,常采用鋁散熱器嵌銅 塊或者銅散熱器。熱設(shè)計 http://m.aji87.cn


          對流換熱
          對流換熱是指運(yùn)動著的流體流經(jīng)溫度與之不同的固體表面時與固體 表面之間發(fā)生的熱量交換過程,這是通信設(shè)備散熱中中應(yīng)用最廣的一種 換熱方式。根據(jù)流動的起因不同,對流換熱可以分為強(qiáng)制對流換熱和自 然對流換熱兩類。前者是由于泵、風(fēng)機(jī)或其他外部動力源所造成的,而 后者通常是由于流體自身溫度場的不均勻性造成不均勻的密度場,由此 產(chǎn)生的浮升力成為運(yùn)動的動力。
          機(jī)柜中通常采用的風(fēng)扇冷卻散熱就是最典型的強(qiáng)制對流換熱。在終 端產(chǎn)品中主要是自然對流換熱。自然對流散熱分為大空間自然對流(例 如終端外殼和外界空氣間的換熱)和有限空間自然對流(例如終端內(nèi)的 單板和終端內(nèi)的空氣)。值得注意的是,當(dāng)終端外殼與單板的距離小于 一定值時,就無法形成自然對流,例如手機(jī)的單板與外殼之間就只是以 空氣為介質(zhì)的熱傳導(dǎo)。

          對流換熱的熱量按照牛頓冷卻定律計算:
          Q=hA(Tw -Tair )
          其中:A 為與熱量傳遞方向垂直的面積,單位為m2 ;
          Th 與Tc 分別為固體壁面與流體的溫度,h是對流換熱系數(shù),自然對流時換熱系數(shù)在1~10W/(℃*m2)量級,實(shí) 際應(yīng)用時一般不會超過3~5W/(℃*m2);強(qiáng)制對流時換熱系數(shù)在10~ 100W/(℃*m2)量級,實(shí)際應(yīng)用時一般不會超過30W/(℃*m2)。

          熱輻射
          輻射是通過電磁波來傳遞能量的過程,熱輻射是由于物體的溫度高于絕對零 度時發(fā)出電磁波的過程,兩個物體之間通過熱輻射傳遞熱量稱為輻射換熱。物體 的輻射力計算公式為:
          E=5.67e-8εT4
          物體表面之間的熱輻射計算是極為復(fù)雜的,其中最簡單的兩個面積相同且 正對著的表面間的輻射換熱量計算公式為:
          Q=A*5.67e-8/(1/εh +1/εc -1)*(Th4-Tc4)
          公式中T指的是物體的絕對溫度值=攝氏溫度值+273.15;ε是表面的黑度或發(fā) 射率,該值取決于物質(zhì)種類,表面溫度和表面狀況,與外界條件無關(guān),也與顏色 無關(guān)。磨光的鋁表面的黑度為0.04,氧化的鋁表面的黑度為0.3,油漆表面的黑度 達(dá)到0.8,雪的黑度為0.8。
          由于輻射換熱不是線性關(guān)系,當(dāng)環(huán)境溫度升高時,終端的溫度與環(huán)境的相 同溫差條件下會散去更多的熱量。

          塑料外殼表面噴漆,PWB表面會涂敷綠油,表面黑度都可以達(dá)到 0.8,這些都有利于輻射散熱。對于金屬外殼,可以進(jìn)行一些表面處理 來提高黑度,強(qiáng)化散熱。
          對輻射散熱一個最大錯誤認(rèn)識是認(rèn)為黑色可以強(qiáng)化熱輻射,通常散 熱器表面黑色處理也助長了這種認(rèn)識。實(shí)際上物體溫度低于1800℃時, 有意義的熱輻射波長位于0.38~100μm之間,且大部分能量位于紅外波 段0.76~20μm范圍內(nèi),在可見光波段內(nèi),熱輻射能量比重并不大。顏色 只與可見光吸收相關(guān),與紅外輻射無關(guān),夏天人們穿淺色的衣服降低太 陽光中的可見光輻射吸收。因此終端內(nèi)部可以隨意涂敷各種顏色的漆。

          2、熱阻的概念
          對導(dǎo)熱和對流換熱的公式進(jìn)行變換:
          Fourier導(dǎo)熱公式:Q=λA(Th-Tc)/δ Q=(Th-Tc)/[δ/(λA)]
          Newton對流換熱公式:Q=αA(Tw-Tair) Q=(Tw-Tair)/(1/αA)
          熱量傳遞過程中,溫度差是過程的動力,好象電學(xué)中的電壓,換熱 量是被傳遞的量,好像電學(xué)中的電流,因而上式中的分母可以用電學(xué)中 的電阻概念來理解成導(dǎo)熱過程的阻力,稱為熱阻(thermal resistance), 單位為℃/W, 其物理意義就是傳遞1W 的熱量需要多少度溫差。在熱設(shè) 計中將熱阻標(biāo)記為R或θ。δ/(λA)是導(dǎo)熱熱阻,1/αA是對流換熱熱阻。 器件的資料中一般都會提供器件的Rjc和Rja熱阻,Rjc是器件的結(jié)到殼的 導(dǎo)熱熱阻;Rja是器件的結(jié)到殼導(dǎo)熱熱阻和殼與外界環(huán)境的對流換熱熱阻 之和。這些熱阻參數(shù)可以根據(jù)實(shí)驗測試獲得,也可以根據(jù)詳細(xì)的器件內(nèi) 部結(jié)構(gòu)計算得到。根據(jù)這些熱阻參數(shù)和器件的熱耗,就可以計算得到器 件的結(jié)溫。
          兩個名義上相接觸的固體表面, 實(shí)際上接觸僅發(fā)生在一些離散的面積 元上,如右圖所示,在未接觸的界面 之間的間隙中常充滿了空氣,熱量將 以導(dǎo)熱和輻射的方式穿過該間隙層, 與理想中真正完全接觸相比,這種附 加的熱傳遞阻力稱為接觸熱阻。降低 接觸熱阻的方法主要是增加接觸壓力 和增加界面材料(如硅脂)填充界面 間的空氣。在涉及熱傳導(dǎo)時,一定不 能忽視接觸熱阻的影響,需要根據(jù)應(yīng) 用情況選擇合適的導(dǎo)熱界面材料,如 導(dǎo)熱脂、導(dǎo)熱膜、導(dǎo)熱墊等。


          二、器件熱特性
          1、認(rèn)識器件熱阻
          JEDEC芯片封裝的熱性能參數(shù):
          熱阻參數(shù)
          ?
          θja ,結(jié)(即芯片)到空氣環(huán)境的熱阻:θja =(Tj -Ta )/P
          ?
          θjc ,結(jié)(即芯片)到封裝外殼的熱阻:θjc =(Tj -Tc )/P
          ?
          θjb ,結(jié)(即芯片)到PCB的熱阻:θjb =(Tj -Tb )/P
          熱性能參數(shù)
          ?
          ψjt ,結(jié)到封裝頂部的熱參數(shù): ψjt =(Tj -Tt )/P
          ?
          ψjb ,結(jié)到封裝底部的熱參數(shù): ψjb =(Tj -Tb )/P
          Tj ——芯片結(jié)溫,℃
          Ta ——空氣環(huán)境溫度,℃
          Tb ——芯片根部PCB表面溫度,℃
          Tt ——芯片表面溫度,℃
          θja 熱阻參數(shù)是封裝的品質(zhì)度量(Figure of Merit),并非 Application-specific,θja 的正確的應(yīng)用只能是芯片封裝的熱性能品質(zhì)參數(shù) (用于性能好壞等級的比較),不能應(yīng)用于實(shí)際測試/分析中的結(jié)溫預(yù)計分析。
          從90年代起,相對于θja 人們更需要對實(shí)際工程師預(yù)計芯片溫度有價值 的熱參數(shù)。適應(yīng)此要求而出現(xiàn)三個新參數(shù): θjb 、ψjt 和ψjb 。
          ψjb 可適當(dāng)?shù)倪\(yùn)用于熱分析中的結(jié)溫分析
          ψjt 可適當(dāng)運(yùn)用于實(shí)際產(chǎn)品熱測試中的結(jié)溫預(yù)計。
          θjc 是結(jié)到封裝表面離結(jié)最近點(diǎn)的熱阻值。 θjc 測量中設(shè)法使得熱流 “全部”由封裝外殼通過。
          ? ψjt 與θjc 完全不同,并非是器件的熱阻值,只是個數(shù)學(xué)構(gòu)造物,只是結(jié) 到TOP的熱特征參數(shù),因為不是所有熱量都是通過封裝頂部散出的。
          ? 實(shí)際應(yīng)用中, ψjt 對于由芯片封裝上表面測試溫度來估計結(jié)溫有有限的 參考價值。
          ? θjb :用來比較裝于板上表面安裝芯片封裝熱性能的品質(zhì)參數(shù)(Figure of Merit),針對的是2s2p PCB,不適用板上有不均勻熱流的芯片封裝。
          ? θjb 與ψjb 有本質(zhì)區(qū)別, θjb > ψjb 。與ψjt 同理, ψjb 為結(jié)到PCB的 熱特征參數(shù)。

          2、典型器件封裝散熱特性
          普通SOP封裝散熱性能很差,影響SOP封裝散熱的因素分外因和內(nèi)因,其中內(nèi) 因是影響SOP散熱的關(guān)鍵。影響散熱的外因是器件管腳與PWB的傳熱熱阻和器件 上表面與環(huán)境的對流散熱熱阻。內(nèi)因源于SOP封裝本身很高傳熱熱阻。SOP封裝散 熱主要通過三個途徑:
          1)die的熱量通過封裝材料(mold compound)傳導(dǎo)到器件上表面然后對流散熱,低 導(dǎo)熱的封裝材料影響傳熱。
          2)die熱量通過pad、封裝材料和器件底面與PWB之間的空氣層后,遞到PWB散 熱,低導(dǎo)熱的封裝材料和空氣層影響傳熱。
          3)die熱量通過lead Frame傳遞到PWB,lead frame和die之間是極細(xì)的鍵合線 (golden wire),因此die和leadframe之間存在很大的導(dǎo)熱熱阻,限制了管腳散熱。

          影響PBGA Rjc和Rja熱阻的因素有很多,從重要程度看依次是:
          1)thermal ball的個數(shù)
          2)die的尺寸
          3)substrate的結(jié)構(gòu),包括銅皮層數(shù),銅皮厚度
          4)die attachment 材料的導(dǎo)熱系數(shù)
          5)gold wire的直徑
          6)PWB上導(dǎo)熱過孔的數(shù)量。
          其中,前5個因素與器件本身的設(shè)計相關(guān),因素6與PWB設(shè)計相關(guān)

          案例:不要被表面的金屬欺騙
          一些PBGA芯片在表面貼銅塊強(qiáng)化散熱,由于mold的導(dǎo)熱系數(shù)很低,該金 屬封裝表面仍為輔助散熱,關(guān)鍵散熱路徑仍在封裝的底部。
          需要了解器件內(nèi)部的封裝結(jié)構(gòu)選擇散熱方案!
          熱量傳遞方式:
          Die的熱量傳遞 給上表面的銅 塊,部分熱量通 過銅塊傳遞到環(huán) 境中;另外部分 熱量通過銅塊依 次傳遞給芯片的 基板、焊球、 PWB后,通過 PWB散熱。
          當(dāng)FC-BGA封裝熱耗在1~6W時,可以采用直接強(qiáng)迫對流散 熱,Rja的范圍在8~12℃/W;當(dāng)熱耗在4~10W時,需要加散熱器 強(qiáng)化散熱,Rja的范圍在5~10℃/W;當(dāng)熱耗為8~25W時,需要高 端的散熱器配合合適的風(fēng)道來進(jìn)行強(qiáng)化散熱。
          TO器件的散熱往往需要較大的的銅皮, 那么對于面積緊張的單板如何來實(shí)現(xiàn)?
          按重要程度依次為:
          1)過孔
          2)單板的層結(jié)構(gòu)(地層或者電源層的位置)
          3)地層或者電源層的銅皮厚度
          4)焊盤厚度

          好的單板散熱方案必須針對器件的散熱特性進(jìn)行設(shè)計!
          ? THD器件的管腳數(shù)量少,焊接后封裝也不緊貼單板,與單板的熱關(guān)聯(lián)性很 小,該類器件的熱量都是通過器件表面散到環(huán)境中。因此早期的器件散熱研究 比較注重于器件表面的空氣流動,以期獲得比較高的器件表面對流換熱系數(shù)。
          ? SMD器件集成度高,熱耗也大,是散熱關(guān)注的重點(diǎn)。該類器件的管腳/焊 球數(shù)量多,焊接后封裝也緊貼單板,與單板建立起緊密的換熱聯(lián)系,散熱方案 必須從單板整體散熱的角度進(jìn)行分析。SMD器件針對散熱需求也出現(xiàn)了多種強(qiáng) 化散熱的封裝,這些封裝的種類繁多,但從散熱角度進(jìn)行歸納分類,以引腳封 裝和焊球封裝最為典型,其它封裝的散熱特性可以參考這兩種類推。
          ?
          PGA類的針狀管腳器件基本忽略單板散熱,以表面散熱為主,例如CPU等。
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